半导体激光器是以直接带隙半导体材料构成的 Pn 结或 Pin 结为工作物质的一种小型化激光器。半导体激光工作物质有几十种，目前已制成激光器的半导体材料有砷化镓、砷化铟、锑化铟、硫化镉、碲化镉、硒化铅、碲化铅、铝镓砷、铟磷砷等。
半导体激光器的激励方式主要有三种：即电注入式 、光泵式和高能电子束激励式。绝大多数半导体激光器的激励方式是电注入，即给 Pn 结加正向电压，以使在结平面区域产生受激发射 ，也就是说是个正向偏置的二极管 。因此半导体激光器又称为半导体激光二极管。对半导体来说，由于电子是在各能带之间进行跃迁 ，而不是在分立的能级之间跃迁，所以跃迁能量不是个确定值， 这使得半导体激光器的输出波长展布在一个很宽的范围上。它们所发出的波长在0.3～34μm之间。其波长范围决定于所用材料的能带间隙 ，最常见的是AlGaAs双异质结激光器，其输出波长为750～890nm。
半导体激光器制作技术经历了由扩散法到液相外延法(LPE)， 气相外延法(VPE)，分子束外延法(MBE)，MOCVD 方法(金属有机化合物汽相淀积)，化学束外延(CBE)以及它们的各种结合型等多种工艺。
随着科学技术的迅速发展， 半导体激光器的研究正向纵深方向推进 ，半导体激光器的性能在不断地提高。以半导体激光器为核心的半导体光电子技术在 21 世纪的信息社会中将取得更大的进展，发挥更大的作用。
北京大族天成自主研发生产蓝光激光器，激光波长宽广：355nm，405nm激光器，532nm，473nm，561nm，589nm，808nm，1470nm激光器等，种类齐全-连续-脉冲-紫外-调Q-纳秒-灯泵-单频-低噪声-光纤耦合-窄线宽激光器。
